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芯联微申请掩膜版及其版图优化方法、金属层制作方法专利，保证器件上的电性不受影响
2025-06-04 09:53:00
金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“掩膜版及其版图优化方法、金属层制作方法”的专利，公开号CN120085512A，申请日期为2025年04月。专利摘要显示，本发明提供了一种掩模版版图优化方法、金属层制作方法，属于半导体领域。该掩模版版图优化方法

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